2SA1680(T6DNSO,F,M jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 2SA1680(T6DNSO,F,M, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 2SA1680(T6DNSO,F,M przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 2SA1680(T6DNSO,F,M z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
2SA1680(T6DNSO,F,M
- Part Number:
- 2SA1680(T6DNSO,F,M
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- TRANS PNP 2A 50V TO226-3
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39329 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 2SA1680(T6DNSO,F,M.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 50V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 500mV @ 50mA, 1A |
| Typ tranzystora: | PNP |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-92MOD |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 900mW |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Inne nazwy: | 2SA1680(T6DNSOFM 2SA1680T6DNSOFM |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Transition: | 100MHz |
| szczegółowy opis: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 120 @ 100mA, 2V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 1µA (ICBO) |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 2A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 2SA1680(T6DNSO,F,M
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU