2PS06017E32G28213NOSA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 2PS06017E32G28213NOSA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 2PS06017E32G28213NOSA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 2PS06017E32G28213NOSA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
2PS06017E32G28213NOSA1
- Part Number:
- 2PS06017E32G28213NOSA1
- Opis:
- IGBT MODULE 1100VDC 325A
- Wielkość zbiorów:
- 27493 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.2PS06017E32G28213NOSA1.pdf2.2PS06017E32G28213NOSA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | - |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Module |
| Seria: | - |
| Package / Case: | Module |
| Inne nazwy: | 2PS06017E32G28213 2PS06017E32G28213-ND SP000264180 |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 55°C |
| Termistor NTC: | Yes |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Wkład: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | - |
| szczegółowy opis: | IGBT Module 2 Independent Chassis Mount Module |
| Konfiguracja: | 2 Independent |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 2PS06017E32G28213NOSA1
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen