2N7640-GA jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 2N7640-GA, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 2N7640-GA przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 2N7640-GA z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
2N7640-GA
- Part Number:
- 2N7640-GA
- Producent:
- GeneSiC Semiconductor
- Opis:
- TRANS SJT 650V 16A TO276
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 45828 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 2N7640-GA.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (maks.): | - |
| Technologia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-276 |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 105 mOhm @ 16A |
| Strata mocy (max): | 330W (Tc) |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | TO-276AA |
| Inne nazwy: | 1242-1151 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 1534pF @ 35V |
| Rodzaj FET: | - |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 650V |
| szczegółowy opis: | 650V 16A (Tc) (155°C) 330W (Tc) Surface Mount TO-276 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) (155°C) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 2N7640-GA
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego