2N6668 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 2N6668, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 2N6668 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 2N6668 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
2N6668
- Part Number:
- 2N6668
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- TRANS PNP DARL 80V 10A TO-220
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 42689 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 2N6668.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 80V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 3V @ 100mA, 10A |
| Typ tranzystora: | PNP - Darlington |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220AB |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 65W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Inne nazwy: | 497-2535-5 |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Częstotliwość - Transition: | - |
| szczegółowy opis: | Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 10A 65W Through Hole TO-220AB |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 5A, 3V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 1mA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 10A |
| Podstawowy numer części: | 2N6668 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 2N6668
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia