2N5639_D26Z jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 2N5639_D26Z, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 2N5639_D26Z przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 2N5639_D26Z z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
2N5639_D26Z
- Part Number:
- 2N5639_D26Z
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- JFET N-CH 30V 0.35W TO92
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57025 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 2N5639_D26Z.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział (V (BR) GSS): | 30V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-92-3 |
| Seria: | - |
| Resistance - RDS (on): | 60 Ohms |
| Moc - Max: | 350mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 10pF @ 12V (VGS) |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| szczegółowy opis: | JFET N-Channel 30V 350mW Through Hole TO-92-3 |
| Obecny - spustowy (IDS) @ Vds (Vgs = 0): | 25mA @ 20V |
| Podstawowy numer części: | 2N5639 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 2N5639_D26Z
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU