2N3811 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 2N3811, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 2N3811 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 2N3811 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
2N3811
- Part Number:
- 2N3811
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 54140 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 2N3811.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 60V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 250mV @ 100µA, 1mA |
| Typ tranzystora: | 2 PNP (Dual) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-78-6 |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 350mW |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | TO-78-6 Metal Can |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Częstotliwość - Transition: | - |
| szczegółowy opis: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 300 @ 1mA, 5V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 10µA (ICBO) |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 50mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 2N3811
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS