2N2609 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 2N2609, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 2N2609 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 2N2609 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
2N2609
- Part Number:
- 2N2609
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- JFETS
- Wielkość zbiorów:
- 32987 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 2N2609.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Odcięcie (VGS off) @ Id: | 750mV @ 1A |
| Napięcie - Podział (V (BR) GSS): | 30V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-18 (TO-206AA) |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 300mW |
| Package / Case: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Inne nazwy: | 2N2609MS |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 10pF @ 5V |
| Rodzaj FET: | P-Channel |
| szczegółowy opis: | JFET P-Channel 30V 10mA 300mW Through Hole TO-18 (TO-206AA) |
| Pobór prądu (Id) - Max: | 10mA |
| Obecny - spustowy (IDS) @ Vds (Vgs = 0): | 2mA @ 5V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 2N2609
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS