2N2323S jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 2N2323S, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 2N2323S przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 2N2323S z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
2N2323S
- Part Number:
- 2N2323S
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- DIODE 50VDC TO-5
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 52088 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 2N2323S.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 50V |
| Napięcie - Brama wyzwalania (VGT) (maks): | 800mV |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-5 |
| Seria: | - |
| Rodzaj SCR: | Sensitive Gate |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | SCR 50V Sensitive Gate Through Hole TO-5 |
| Obecny - Na członkowskim (It (AV)) (Max): | 220mA |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | - |
| Obecny - trzymaj (Ih) (maks): | 2mA |
| Obecny - Brama wyzwalania (IGT) (maks): | 200µA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 2N2323S
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego