28L0138-40R jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 28L0138-40R, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 28L0138-40R przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 28L0138-40R z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
28L0138-40R
- Part Number:
- 28L0138-40R
- Producent:
- Laird Technologies
- Opis:
- FERRITE BEAD 135 OHM AXIAL 1LN
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 53835 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.28L0138-40R.pdf2.28L0138-40R.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.138" Dia x 0.370" L (3.51mm x 9.40mm) |
| Seria: | 28 |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | Axial |
| Inne nazwy: | 240-2173-2 |
| temperatura robocza: | - |
| Liczba linii: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | Not Applicable |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Impedancja @ Częstotliwość: | 135 Ohms @ 100MHz |
| Wysokość (max): | - |
| Rodzaj filtra: | - |
| Oporność DC (DCR) (maks.): | 10 mOhm |
| Karta Grubość (mm): | 5A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 28L0138-40R
Latest Aktualności
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED