28B1250-000 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 28B1250-000, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 28B1250-000 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 28B1250-000 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
28B1250-000
- Part Number:
- 28B1250-000
- Producent:
- Laird Technologies
- Opis:
- FERRITE CORE 186 OHM SOLID
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 59509 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.28B1250-000.pdf2.28B1250-000.pdf3.28B1250-000.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Round |
| Seria: | 28 |
| oceny: | - |
| Wymiar zewnętrzny: | 1.250" Dia (31.75mm) |
| Inne nazwy: | 240-2119 28B1250000 |
| Rodzaj mocowania: | Free Hanging |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | Not Applicable |
| Materiał: | 28 |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Długość: | 0.875" (22.22mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wymiar wewnętrzny: | 0.750" Dia (19.05mm) |
| Impedancja @ Częstotliwość: | 186 Ohm @ 100MHz |
| szczegółowy opis: | Solid Free Hanging Ferrite Core 186 Ohm @ 100MHz ID 0.750" Dia (19.05mm) OD 1.250" Dia (31.75mm) Length 0.875" (22.22mm) |
| Projekt: | Solid |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 28B1250-000
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen