28B0157-100 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 28B0157-100, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 28B0157-100 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 28B0157-100 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
28B0157-100
- Part Number:
- 28B0157-100
- Producent:
- Laird Technologies
- Opis:
- FERRITE CORE 121 OHM SOLID 2MM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 26452 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.28B0157-100.pdf2.28B0157-100.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Round |
| Seria: | 28 |
| oceny: | - |
| Wymiar zewnętrzny: | 0.157" Dia (4.00mm) |
| Rodzaj mocowania: | Free Hanging |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | Not Applicable |
| Materiał: | 28 |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Długość: | 0.394" (10.00mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wymiar wewnętrzny: | 0.079" Dia (2.00mm) |
| Impedancja @ Częstotliwość: | 121 Ohm @ 100MHz |
| szczegółowy opis: | Solid Free Hanging Ferrite Core 121 Ohm @ 100MHz ID 0.079" Dia (2.00mm) OD 0.157" Dia (4.00mm) Length 0.394" (10.00mm) |
| Projekt: | Solid |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 28B0157-100
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia