2731GN-110M jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 2731GN-110M, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 2731GN-110M przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 2731GN-110M z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
2731GN-110M
- Part Number:
- 2731GN-110M
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- FETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 23727 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 2731GN-110M.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 150V |
| Napięcie - Wyjście: | 125W |
| Napięcie - Podział: | 55QP |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Polaryzacja: | 55QP |
| noise Figure: | 60V |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | 2731GN-110M |
| Częstotliwość: | 2.7GHz ~ 3.1GHz |
| Rodzaj FET: | 11.7dB ~ 12.2dB |
| Rozszerzony opis: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 250mA 2.7GHz ~ 3.1GHz 11.7dB ~ 12.2dB 125W 55QP |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 250mA |
| Opis: | FETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QP |
| Aktualna ocena: | 2.5mA |
| Obecny - Test: | - |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 2731GN-110M
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM