2643001601 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 2643001601, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 2643001601 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 2643001601 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
2643001601
- Part Number:
- 2643001601
- Producent:
- Fair-Rite Products Corp.
- Opis:
- FERRITE CORE 30OHM SOLID 1.78MM
- Wielkość zbiorów:
- 36658 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 2643001601.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Round |
| Seria: | - |
| oceny: | - |
| Wymiar zewnętrzny: | 0.140" Dia (3.56mm) |
| Inne nazwy: | 1934-1484 |
| Rodzaj mocowania: | Free Hanging |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | Not Applicable |
| Materiał: | 43 |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Długość: | 0.122" (3.10mm) |
| Wymiar wewnętrzny: | 0.070" Dia (1.78mm) |
| Impedancja @ Częstotliwość: | 30 Ohm @ 100MHz |
| szczegółowy opis: | Solid Free Hanging Ferrite Core 30 Ohm @ 100MHz ID 0.070" Dia (1.78mm) OD 0.140" Dia (3.56mm) Length 0.122" (3.10mm) |
| Projekt: | Solid |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 2643001601
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia