2512061217Y0A4 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 2512061217Y0A4, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 2512061217Y0A4 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 2512061217Y0A4 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
2512061217Y0A4
- Part Number:
- 2512061217Y0A4
- Producent:
- Fair-Rite Products Corp.
- Opis:
- FERRITE BEAD 1206 4LN
- Wielkość zbiorów:
- 42546 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 2512061217Y0A4.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Seria: | - |
| oceny: | - |
| Package / Case: | 1206 (3216 Metric), Array, 8 PC Pad |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba linii: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Wysokość (max): | 0.039" (1.00mm) |
| Rodzaj filtra: | - |
| Oporność DC (DCR) (maks.): | 300 mOhm |
| Karta Grubość (mm): | 150mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 2512061217Y0A4
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS