229LBA025M2EE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 229LBA025M2EE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 229LBA025M2EE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 229LBA025M2EE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
229LBA025M2EE
- Part Number:
- 229LBA025M2EE
- Producent:
- Illinois Capacitor
- Opis:
- CAP ALUM 22000UF 20% 25V SNAP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 48390 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 229LBA025M2EE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 25V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 1.378" Dia (35.00mm) |
| Seria: | LBA |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 5.73A @ 120Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 7.1625A @ 10kHz |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Polar |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial, Can - Snap-In |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 22 Weeks |
| Żywotność @ Temp.: | 2000 Hrs @ 85°C |
| Główny odstęp: | 0.394" (10.00mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 1.457" (37.00mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 33.91 mOhm @ 120Hz |
| szczegółowy opis: | 22000µF 25V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Snap-In 33.91 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C |
| Pojemność: | 22000µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 229LBA025M2EE
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia