223MWR102K jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 223MWR102K, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 223MWR102K przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 223MWR102K z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
223MWR102K
- Part Number:
- 223MWR102K
- Producent:
- Illinois Capacitor
- Opis:
- CAP FILM 0.022UF 10% 1KVDC AXIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 46078 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 223MWR102K.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | 1000V (1kV) |
| Napięcie znamionowe - AC: | 250V |
| Tolerancja: | ±10% |
| Zakończenie: | PC Pins |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.374" Dia x 0.807" L (9.50mm x 20.50mm) |
| Seria: | MWR |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Axial |
| Inne nazwy: | 1572-1366 223MWR102K-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 19 Weeks |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | Low ESR |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 64.305 Ohms |
| Materiał dielektryka: | Polyester, Metallized |
| szczegółowy opis: | 0.022µF Film Capacitor 250V 1000V (1kV) Polyester, Metallized Axial |
| Pojemność: | 0.022µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 223MWR102K
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił