205PMB122KN jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 205PMB122KN, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 205PMB122KN przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 205PMB122KN z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
205PMB122KN
- Part Number:
- 205PMB122KN
- Producent:
- Illinois Capacitor
- Opis:
- CAP FILM 2UF 10% 1.2KVDC CHAS MT
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52363 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 205PMB122KN.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | 1200V (1.2kV) |
| Napięcie znamionowe - AC: | 630V |
| Tolerancja: | ±10% |
| Rozmiar / Wymiar: | 2.264" L x 1.181" W (57.50mm x 30.00mm) |
| Seria: | PMB |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Rectangular Box |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 19 Weeks |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 1.772" (45.00mm) |
| cechy: | - |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 2.4 mOhms |
| Materiał dielektryka: | Polypropylene (PP), Metallized |
| szczegółowy opis: | 2µF Film Capacitor 630V 1200V (1.2kV) Polypropylene (PP), Metallized Rectangular Box |
| Pojemność: | 2µF |
| Aplikacje: | DC Link, DC Filtering; High Frequency, Switching; Snubber |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 205PMB122KN
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił