1N5357BRLG jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 1N5357BRLG, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 1N5357BRLG przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 1N5357BRLG z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
1N5357BRLG
- Part Number:
- 1N5357BRLG
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- DIODE ZENER 20V 5W AXIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52835 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1N5357BRLG.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Izolacja: | 3 Ohm |
| Napięcie - Podział: | Axial |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Moc - Max: | 5W |
| Polaryzacja: | T-18, Axial |
| Inne nazwy: | 1N5357BRLGOSTR |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 200°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 11 Weeks |
| Numer części producenta: | 1N5357BRLG |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 20V |
| Rozszerzony opis: | Zener Diode 5W ±5% Through Hole Axial |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±5% |
| Diode Configuration: | 500nA @ 15.2V |
| Opis: | DIODE ZENER 20V 5W AXIAL |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1.2V @ 1A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 1N5357BRLG
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM