1N5230B TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 1N5230B TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 1N5230B TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 1N5230B TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
1N5230B TR
- Part Number:
- 1N5230B TR
- Producent:
- Central Semiconductor
- Opis:
- DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55771 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1N5230B TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz): | 4.7V |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.1V @ 200mA |
| Tolerancja: | ±5% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DO-35 |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 500mW |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Inne nazwy: | 1N5230B CT 1N5230B CT-ND 1N5230BCSCT |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 200°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 21 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 19 Ohms |
| szczegółowy opis: | Zener Diode 4.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 5µA @ 2V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 1N5230B TR
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS