1N4935-E3/73 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 1N4935-E3/73, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 1N4935-E3/73 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 1N4935-E3/73 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
1N4935-E3/73
- Part Number:
- 1N4935-E3/73
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 56693 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1N4935-E3/73.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.2V @ 1A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 200V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DO-204AL (DO-41) |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 200ns |
| Opakowania: | Tape & Box (TB) |
| Package / Case: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Inne nazwy: | 1N4935-E3/73GITB 1N4935-E3/73GITR 1N4935-E3/73GITR-ND 1N4935/4 1N4935/4GITR 1N4935/4GITR-ND 1N4935/54 1N4935/54GITR 1N4935/54GITR-ND 1N4935GI 1N4935GITR 1N4935GITR-ND |
| Temperatura pracy - złącze: | -50°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 23 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Typ diody: | Standard |
| szczegółowy opis: | Diode Standard 200V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 5µA @ 200V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 1A |
| Pojemność @ VR F: | 12pF @ 4V, 1MHz |
| Podstawowy numer części: | 1N4935 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 1N4935-E3/73
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia