1N4747AGE3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 1N4747AGE3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 1N4747AGE3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 1N4747AGE3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
1N4747AGE3
- Part Number:
- 1N4747AGE3
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- ZENER DIODES
- Status bezołowiowy:
- Zgodny z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 37718 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1N4747AGE3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz): | 20V |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.2V @ 200mA |
| Tolerancja: | ±5% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DO-41 |
| Seria: | - |
| Status RoHS: | RoHS Compliant |
| Moc - Max: | 1W |
| Package / Case: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Inne nazwy: | 1N4747AGE3MS |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 22 Ohms |
| szczegółowy opis: | Zener Diode 20V 1W ±5% Through Hole DO-41 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 5µA @ 15.2V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 1N4747AGE3
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia