1N4007G-T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 1N4007G-T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 1N4007G-T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 1N4007G-T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
1N4007G-T
- Part Number:
- 1N4007G-T
- Producent:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
- Status bezołowiowy:
- Zawiera RoHS / RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 26379 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1N4007G-T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1V @ 1A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 1000V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DO-41 |
| Prędkość: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 2µs |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Inne nazwy: | 1N4007GCT 1N4007GCT-ND 1N4007GDICT |
| Temperatura pracy - złącze: | -65°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Standard |
| szczegółowy opis: | Diode Standard 1000V 1A Through Hole DO-41 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 5µA @ 1000V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 1A |
| Pojemność @ VR F: | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Podstawowy numer części: | 1N4007 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 1N4007G-T
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił