1N3316RA jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 1N3316RA, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 1N3316RA przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 1N3316RA z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
1N3316RA
- Part Number:
- 1N3316RA
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- DIODE ZENER 17V 50W DO5
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 44586 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1N3316RA.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz): | 17V |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.5V @ 10A |
| Tolerancja: | ±10% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DO-5 |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 50W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Chassis, Stud Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 1.8 Ohms |
| szczegółowy opis: | Zener Diode 17V 50W ±10% Chassis, Stud Mount DO-5 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 10µA @ 13V |
| Podstawowy numer części: | 1N3316 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 1N3316RA
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego