1808B473K501NT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 1808B473K501NT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 1808B473K501NT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 1808B473K501NT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
1808B473K501NT
- Part Number:
- 1808B473K501NT
- Producent:
- Knowles NOVACAP
- Opis:
- CAP CER 0.047UF 500V X7R 1808
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 54883 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.1808B473K501NT.pdf2.1808B473K501NT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 500V |
| Tolerancja: | ±10% |
| Grubość (maks): | 0.065" (1.65mm) |
| Współczynnik temperaturowy: | X7R |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.180" L x 0.080" W (4.57mm x 2.03mm) |
| Seria: | - |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 1808 (4520 Metric) |
| Inne nazwy: | 1763-1223-2 1808B473K501NT-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount, MLCC |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Lead Style: | - |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | - |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 0.047µF ±10% 500V Ceramic Capacitor X7R 1808 (4520 Metric) |
| Pojemność: | 0.047µF |
| Aplikacje: | Bypass, Decoupling |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 1808B473K501NT
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia