160104J400G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 160104J400G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 160104J400G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 160104J400G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
160104J400G
- Part Number:
- 160104J400G
- Producent:
- Cornell Dubilier Electronics
- Opis:
- CAP FILM 0.1UF 5% 400VDC RADIAL
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 53890 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 160104J400G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | 400V |
| Napięcie znamionowe - AC: | 200V |
| Tolerancja: | ±5% |
| Zakończenie: | PC Pins |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.709" L x 0.236" W (18.00mm x 6.00mm) |
| Seria: | 160 |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Główny odstęp: | 0.591" (15.00mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.472" (12.00mm) |
| cechy: | - |
| Materiał dielektryka: | Polyester, Metallized |
| szczegółowy opis: | 0.1µF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Metallized Radial |
| Pojemność: | 0.1µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 160104J400G
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia