154N-500A-R jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 154N-500A-R, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 154N-500A-R przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 154N-500A-R z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
154N-500A-R
- Part Number:
- 154N-500A-R
- Producent:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- Opis:
- SENSOR PRESSURE
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 43532 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 154N-500A-R.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | - |
| Termination Style: | Connector |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Seria: | - |
| Pressure Type: | Absolute |
| Styl portów: | No Port |
| Port Rozmiar: | - |
| Package / Case: | Module |
| Typ wyjścia: | Wheatstone Bridge |
| Wydajność: | 0 mV ~ 100 mV |
| Inne nazwy: | 223-1396-5 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Ciśnienie robocze: | 500 PSI (3447.38 kPa) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Maksymalne ciśnienie: | 1500 PSI (10342.14 kPa) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | Temperature Compensated |
| szczegółowy opis: | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Absolute 0 mV ~ 100 mV Module |
| Precyzja: | ±0.1% |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 154N-500A-R
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia