1339C-31SRI8 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 1339C-31SRI8, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 1339C-31SRI8 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 1339C-31SRI8 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
1339C-31SRI8
- Part Number:
- 1339C-31SRI8
- Producent:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Opis:
- IC RTC CLK/CALENDAR I2C 16-SOIC
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 42418 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.1339C-31SRI8.pdf2.1339C-31SRI8.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Zasilanie, bateria: | 1.3 V ~ 3.7 V |
| Napięcie - Dostawa: | 3.3 V ~ 5.5 V |
| Rodzaj: | Clock/Calendar |
| Format czasu: | HH:MM:SS (12/24 hr) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-SOIC |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Inne nazwy: | IDT1339C-31SRI8 IDT1339C-31SRI8-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Rozmiar pamięci: | - |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Berło: | I²C, 2-Wire Serial |
| cechy: | Alarm, Leap Year, Square Wave Output, Trickle-Charger |
| szczegółowy opis: | Real Time Clock (RTC) IC Clock/Calendar I²C, 2-Wire Serial 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Format daty: | YY-MM-DD-dd |
| Aktualne - Timekeeping (maks.): | 200µA @ 3.63V ~ 5.5V |
| Podstawowy numer części: | IDT1339 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 1339C-31SRI8
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia