1285AS-H-R68M=P2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 1285AS-H-R68M=P2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 1285AS-H-R68M=P2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 1285AS-H-R68M=P2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
1285AS-H-R68M=P2
- Part Number:
- 1285AS-H-R68M=P2
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- FIXED IND 680NH 2.5A 72 MOHM SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 23312 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1285AS-H-R68M=P2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | - |
| Stosowanie: | Shielded |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| Seria: | DFE201610C |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | 0805 (2012 Metric) |
| Inne nazwy: | 490-10602-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Numer części producenta: | 1285AS-H-R68M=P2 |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| typ sprzętu: | 680nH |
| Częstotliwość - Test: | - |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 72 mOhm Max |
| Rozszerzony opis: | 680nH Shielded Wirewound Inductor 2.5A 72 mOhm Max 0805 (2012 Metric) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±20% |
| Średnica - ramię: | - |
| Opis: | FIXED IND 680NH 2.5A 72 MOHM SMD |
| Czas zwłoki: | 1MHz |
| DC Resistance (DCR): | 2.6A |
| Aktualna ocena: | 2.5A |
| Obecny - Nasycenie: | Powdered Iron |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 1285AS-H-R68M=P2
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash