1276AS-H-6R8M=P2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 1276AS-H-6R8M=P2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 1276AS-H-6R8M=P2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 1276AS-H-6R8M=P2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
1276AS-H-6R8M=P2
- Part Number:
- 1276AS-H-6R8M=P2
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- FIXED IND 6.8UH 1A 378 MOHM SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 27371 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1276AS-H-6R8M=P2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | - |
| Stosowanie: | Shielded |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Seria: | DFE322510C |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | 1210 (3225 Metric) |
| Inne nazwy: | 490-10586-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Numer części producenta: | 1276AS-H-6R8M=P2 |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| typ sprzętu: | 6.8µH |
| Częstotliwość - Test: | - |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 378 mOhm Max |
| Rozszerzony opis: | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 1A 378 mOhm Max 1210 (3225 Metric) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±20% |
| Średnica - ramię: | - |
| Opis: | FIXED IND 6.8UH 1A 378 MOHM SMD |
| Czas zwłoki: | 1MHz |
| DC Resistance (DCR): | 1.3A |
| Aktualna ocena: | 1A |
| Obecny - Nasycenie: | Powdered Iron |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 1276AS-H-6R8M=P2
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU