Az 1276AS-H-6R8M=P2 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az 1276AS-H-6R8M=P2 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervet1276AS-H-6R8M=P2e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon 1276AS-H-6R8M=P2 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
1276AS-H-6R8M=P2
- Cikkszám:
- 1276AS-H-6R8M=P2
- Gyártó:
- Murata Electronics
- Leírás:
- FIXED IND 6.8UH 1A 378 MOHM SMD
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 27371 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- 1276AS-H-6R8M=P2.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségelosztás: | - |
| Használat: | Shielded |
| típus: | Wirewound |
| Méret / dimenzió: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Sorozat: | DFE322510C |
| RoHS állapot: | Tape & Reel (TR) |
| Értékelések: | - |
| Polarizáció: | 1210 (3225 Metric) |
| Más nevek: | 490-10586-2 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 85°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 13 Weeks |
| Gyártási szám: | 1276AS-H-6R8M=P2 |
| Magasság - Ülés (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Hardver típusa: | 6.8µH |
| Frekvencia - teszt: | - |
| Frekvencia - önrezonáns: | 378 mOhm Max |
| Bővített leírás: | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 1A 378 mOhm Max 1210 (3225 Metric) |
| ESR (egyenértékű sorozat rezisztencia): | ±20% |
| Átmérő - Váll: | - |
| Leírás: | FIXED IND 6.8UH 1A 378 MOHM SMD |
| Késési idő: | 1MHz |
| DC ellenállás (DCR): | 1.3A |
| Jelenlegi értékelés: | 1A |
| Aktuális - telítettség: | Powdered Iron |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az 1276AS-H-6R8M=P2-hoz
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében