IPB038N12N3GATMA1 ay magagamit na ngayon!Ang teknolohiya ng LYNTEAM ay ang distributor ng stocking para sa IPB038N12N3GATMA1, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang supply ng mahabang panahon.Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa IPB038N12N3GATMA1 sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili ng IPB038N12N3GATMA1 sa LYNTEAM, i-save ang iyong pera at oras.
Ang aming email: [email protected].
IPB038N12N3GATMA1
- Numero ng Bahagi:
- IPB038N12N3GATMA1
- Manufacturer:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Paglalarawan:
- MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3
- Lead Free Status:
- Lead libreng / RoHS compliant
- Stock Quantity:
- 53374 Pieces
- Oras ng paghatid:
- 1-2 days
- Lead oras:
- 4-8 weeks
- Data sheet:
- IPB038N12N3GATMA1.pdf
pagpapakilala
Mga pagtutukoy
| Kondisyon | New & Original, tested |
|---|---|
| Bansang pinagmulan | Contact us |
| Pagmarka ng Code | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 270µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknolohiya: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier aparato Package: | D²PAK (TO-263AB) |
| serye: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.8 mOhm @ 100A, 10V |
| Power pagwawaldas (Max): | 300W (Tc) |
| packaging: | Cut Tape (CT) |
| Package / Kaso: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Ibang pangalan: | IPB038N12N3 GCT IPB038N12N3 GCT-ND IPB038N12N3GATMA1CT |
| operating Temperature: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Salalayan Type: | Surface Mount |
| Ang Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Libreng Status / Katayuan ng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Kapasidad (Ciss) (Max) @ Vds: | 13800pF @ 60V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 211nC @ 10V |
| Type FET: | N-Channel |
| FET Tampok: | - |
| Drive Boltahe (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Alisan ng tubig sa Source Boltahe (Vdss): | 120V |
| Detalyadong Paglalarawan: | N-Channel 120V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Current - Ang patuloy Drain (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Mga Kaugnay na bahagi para sa IPB038N12N3GATMA1
Latest News
- Nabalitaan na ang Samsung at SK Hynix ay tumigil sa DDR3, at ang pagsipi ng promosyon ay tumaas ng 20 %
- Inilabas ng Melexis ang MLX90427: Kontrol ng linya sa bagong pagpipilian, ligtas, mahusay at matipid
- Ang ulat sa pananalapi ng NXP at Ansonmei ay inihayag, at ang presyo ng mga presyo ng tanso ay ipinadala sa industriya ng IC
- Ang Moels Micro Electronics ay nag -set up ng isang bagong tanggapan sa Taiwan, China upang mapalawak ang teritoryo ng negosyo
- Ang pagganap ng mga instrumento sa Texas ay dapat pa ring mapalakas, at ang dalawang pabrika ng imbakan ay nagtutulak ng mga bagong produkto ng memorya ng flash
- Ang unang quarter na ulat ng pinansiyal na ulat ng SEF Semiconductor (ST) ay bumababa, at ang demand para sa mga sasakyan ay bumagal
- Ang pagganap ng mga instrumento sa Texas ay dapat pa ring mapalakas, at ang dalawang pabrika ng imbakan ay nagtutulak ng mga bagong produkto ng memorya ng flash
- Lokal na dami ng mature na chip, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasidad Malapit sa Pag -load
- Inilulunsad ni Vishay ang minile packaging mataas na ningning Maliit na asul at purong berde na LED
- Inilunsad ni Ansonmei ang isang induktibong sensor ng posisyon para sa merkado sa industriya at transportasyon
- Sinimulan ni Ruisa ang lumang pabrika upang madagdagan ang aparato ng kuryente, ang lindol ay nakakaapekto sa dram output banayad
- Pinapayagan ng Microchip ang kapasidad ng paggawa ng TSMC at pinatataas ang pagtaas ng presyo