IPB038N12N3GATMA1
IPB038N12N3GATMA1
Nomor bagian:
IPB038N12N3GATMA1
Pabrikan:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Deskripsi:
MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
53374 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
IPB038N12N3GATMA1.pdf

pengantar

IPB038N12N3GATMA1 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk IPB038N12N3GATMA1, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk IPB038N12N3GATMA1 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli IPB038N12N3GATMA1 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 270µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:D²PAK (TO-263AB)
Seri:OptiMOS™
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:3.8 mOhm @ 100A, 10V
Power Disipasi (Max):300W (Tc)
Pengemasan:Cut Tape (CT)
Paket / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nama lain:IPB038N12N3 GCT
IPB038N12N3 GCT-ND
IPB038N12N3GATMA1CT
Suhu Operasional:-55°C ~ 175°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:13800pF @ 60V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:211nC @ 10V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):120V
Detil Deskripsi:N-Channel 120V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar