IPB083N15N5LFATMA1 er tilgjengelig nå!LYNTEAM-teknologi er strømforbindelsen for IPB083N15N5LFATMA1, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang tid.Vennligst send oss din kjøpsplan for IPB083N15N5LFATMA1 via e-post, vi vil gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøp IPB083N15N5LFATMA1 med LYNTEAM, spar penger og tid.
Vår epost: [email protected]
IPB083N15N5LFATMA1
- Delenummer:
- IPB083N15N5LFATMA1
- Beskrivelse:
- MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
- Lead Free Status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Lager Antall:
- 60079 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Ledetid:
- 4-8 weeks
- Dataark:
- IPB083N15N5LFATMA1.pdf
Introduksjon
spesifikasjoner
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Opprinnelsesland | Contact us |
| Merkingskode | Send by email |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 4.9V @ 134µA |
| Vgs (maks): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Enhetspakke: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 8.3 mOhm @ 100A, 10V |
| Strømdissipasjon (maks): | 179W (Tc) |
| emballasje: | Cut Tape (CT) |
| Pakke / tilfelle: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andre navn: | IPB083N15N5LFATMA1CT |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 210pF @ 75V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 45nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 10V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 150V |
| Detaljert beskrivelse: | N-Channel 150V 105A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 105A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til IPB083N15N5LFATMA1
Latest News
- HBM -produksjonskapasitet er ekskludert, dramminnet kan være mangelvare i andre halvår
- Wall -grunnleggere vil ende, HBM eller føre til at dramen øker igjen
- AI mobiltelefon- og PC -utvidelsesbehov, Global halvlederproduksjonsindustri forbedring
- Forstå behovene til ADAS og hytteovervåkningssystemer for bildesikkerhetssensorer
- Det ryktes at Samsung og SK Hynix stoppet DDR3, og promoteringssitatet steg med 20 %
- Melexis utgitt MLX90427: Linjekontroll til nytt valg, trygg, effektiv og økonomisk
- NXP og Ansonmeis økonomiske rapport kunngjorde, og prisen på kobberprisene overføres til IC -bransjen
- Moels Micro Electronics har satt opp nye kontorer i Taiwan, Kina for å utvide forretningsområdet
- Ytelsen til Texas Instruments er fremdeles å bli styrket, og de to lagringsfabrikkene skyver nye flash -minneprodukter
- Finansiell rapport fra første kvartal for SEF Semiconductor (ST) avtar, og etterspørselen etter biler har avtatt
- Ytelsen til Texas Instruments er fremdeles å bli styrket, og de to lagringsfabrikkene skyver nye flash -minneprodukter
- Lokal moden brikkevolum, Samsung Nand Flash Memory Production Capacity nær belastning