IPB081N06L3GATMA1 er tilgjengelig nå!LYNTEAM-teknologi er strømforbindelsen for IPB081N06L3GATMA1, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang tid.Vennligst send oss din kjøpsplan for IPB081N06L3GATMA1 via e-post, vi vil gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøp IPB081N06L3GATMA1 med LYNTEAM, spar penger og tid.
Vår epost: [email protected]
IPB081N06L3GATMA1
- Delenummer:
- IPB081N06L3GATMA1
- Beskrivelse:
- MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
- Lead Free Status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Lager Antall:
- 58667 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Ledetid:
- 4-8 weeks
- Dataark:
- IPB081N06L3GATMA1.pdf
Introduksjon
spesifikasjoner
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Opprinnelsesland | Contact us |
| Merkingskode | Send by email |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 2.2V @ 34µA |
| Vgs (maks): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Enhetspakke: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 8.1 mOhm @ 50A, 10V |
| Strømdissipasjon (maks): | 79W (Tc) |
| emballasje: | Tape & Reel (TR) |
| Pakke / tilfelle: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andre navn: | IPB081N06L3 G IPB081N06L3 G-ND IPB081N06L3 GTR-ND IPB081N06L3G IPB081N06L3GATMA1TR SP000398076 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 4900pF @ 30V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 29nC @ 4.5V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 4.5V, 10V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 60V |
| Detaljert beskrivelse: | N-Channel 60V 50A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til IPB081N06L3GATMA1
Latest News
- HBM -produksjonskapasitet er ekskludert, dramminnet kan være mangelvare i andre halvår
- Wall -grunnleggere vil ende, HBM eller føre til at dramen øker igjen
- AI mobiltelefon- og PC -utvidelsesbehov, Global halvlederproduksjonsindustri forbedring
- Forstå behovene til ADAS og hytteovervåkningssystemer for bildesikkerhetssensorer
- Det ryktes at Samsung og SK Hynix stoppet DDR3, og promoteringssitatet steg med 20 %
- Melexis utgitt MLX90427: Linjekontroll til nytt valg, trygg, effektiv og økonomisk
- NXP og Ansonmeis økonomiske rapport kunngjorde, og prisen på kobberprisene overføres til IC -bransjen
- Moels Micro Electronics har satt opp nye kontorer i Taiwan, Kina for å utvide forretningsområdet
- Ytelsen til Texas Instruments er fremdeles å bli styrket, og de to lagringsfabrikkene skyver nye flash -minneprodukter
- Finansiell rapport fra første kvartal for SEF Semiconductor (ST) avtar, og etterspørselen etter biler har avtatt
- Ytelsen til Texas Instruments er fremdeles å bli styrket, og de to lagringsfabrikkene skyver nye flash -minneprodukter
- Lokal moden brikkevolum, Samsung Nand Flash Memory Production Capacity nær belastning