EPC8005ENGR er tilgjengelig nå!LYNTEAM-teknologi er strømforbindelsen for EPC8005ENGR, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang tid.Vennligst send oss din kjøpsplan for EPC8005ENGR via e-post, vi vil gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøp EPC8005ENGR med LYNTEAM, spar penger og tid.
Vår epost: [email protected]
EPC8005ENGR
- Delenummer:
- EPC8005ENGR
- Produsent:
- EPC
- Beskrivelse:
- TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
- Lead Free Status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Lager Antall:
- 33366 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Ledetid:
- 4-8 weeks
Introduksjon
spesifikasjoner
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Opprinnelsesland | Contact us |
| Merkingskode | Send by email |
| Spenning - Test: | 29pF @ 32.5V |
| Spenning - Fordeling: | Die |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 275 mOhm @ 500mA, 5V |
| Teknologi: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Serie: | eGaN® |
| RoHS Status: | Tray |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 2.9A (Ta) |
| polarisering: | Die |
| Andre navn: | 917-EPC8005ENGR EPC8005ENGH |
| Driftstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produsentens varenummer: | EPC8005ENGR |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 0.22nC @ 5V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| FET-funksjonen: | N-Channel |
| Utvidet beskrivelse: | N-Channel 65V 2.9A (Ta) Surface Mount Die |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | - |
| Beskrivelse: | TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 65V |
| Kapasitansforhold: | - |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til EPC8005ENGR
Latest News
- Qorvo lanserte bransjens enestående høye 5G MMIMO -preliminarier
- Simuleringssyklusinventarbunn, AI driver Flash Memory -etterspørselen fortsetter
- Microns plan om å bygge en fabrikk, NAND flashminne til høye priser eller vedlikehold
- ADI -ytelsen er redusert, kobberfolieunderlag har steget, lagring av original fabrikkøkningsproduksjon konservativ
- Bølgen av intelligens i bilen kommer, og Aimus Oslang hjalp Sagita Juguang med å frigjøre MX Lidar
- HBM -produksjonskapasitet er ekskludert, dramminnet kan være mangelvare i andre halvår
- Wall -grunnleggere vil ende, HBM eller føre til at dramen øker igjen
- AI mobiltelefon- og PC -utvidelsesbehov, Global halvlederproduksjonsindustri forbedring
- Forstå behovene til ADAS og hytteovervåkningssystemer for bildesikkerhetssensorer
- Det ryktes at Samsung og SK Hynix stoppet DDR3, og promoteringssitatet steg med 20 %
- Melexis utgitt MLX90427: Linjekontroll til nytt valg, trygg, effektiv og økonomisk
- NXP og Ansonmeis økonomiske rapport kunngjorde, og prisen på kobberprisene overføres til IC -bransjen