SQ1912AEEH-T1_GE3 is nu beschikbaar!LYNTEAM-technologie is de stockingverdeler voor SQ1912AEEH-T1_GE3, we hebben de voorraden voor onmiddellijke verzending en ook beschikbaar voor lange tijd.Stuur ons uw aankoopplan voor SQ1912AEEH-T1_GE3 per e-mail, wij geven u een beste prijs volgens uw plan.
Koop SQ1912AEEH-T1_GE3 met LYNTEAM, bespaar uw geld en tijd.
Onze e-mail: [email protected]
SQ1912AEEH-T1_GE3
- Onderdeel nummer:
- SQ1912AEEH-T1_GE3
- Fabrikant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschrijving:
- MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
- Voorraadhoeveelheid:
- 20182 Pieces
- Aflevertijd:
- 1-2 days
- Doorlooptijd:
- 4-8 weeks
- Data papier:
- SQ1912AEEH-T1_GE3.pdf
Invoering
bestek
| Staat | New & Original, tested |
|---|---|
| Land van herkomst | Contact us |
| Markeringscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Leverancier Device Pakket: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Vermogen - Max: | 1.5W |
| Packaging: | Tape & Reel (TR) |
| Verpakking / doos: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Andere namen: | SQ1912AEEH-T1_GE3-ND SQ1912AEEH-T1_GE3TR |
| Temperatuur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| montage Type: | Surface Mount |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 27pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.25nC @ 4.5V |
| FET Type: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature: | Standard |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | 20V |
| gedetailleerde beschrijving: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA (Tc) 1.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 800mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor SQ1912AEEH-T1_GE3
Latest Nieuws
- ARM verscheen in Computex 2024: Er wordt verwacht dat meer dan 100 miljard ARM -apparaten tegen het einde van 2025 voor AI kunnen worden gebruikt
- Qorvo lanceerde de uitstekende high -gain 5G MMIMO -voorlopers van de industrie in de industrie
- Simulatiecyclus Inventaris Bottom Out, AI Drijft de vraag naar flash -geheugen gaat door
- Micron's plan om een fabriek, NAND Flash -geheugen te bouwen tegen hoge prijzen of onderhoud
- ADI -prestaties zijn verminderd, koperen folie -substraten zijn gestegen, de opslag van de oorspronkelijke fabrieksverhoging productie conservatief
- De golf van intelligentie in de auto komt eraan en Aimus Oslang hielp Sagita Juguang de MX LiDar uit te brengen
- HBM -productiecapaciteit is uitgesloten, DRAM -geheugen kan schaars zijn in de tweede helft van het jaar
- Wall -oprichters zullen eindigen, HBM of ervoor zorgen dat DRAM opnieuw stijgt
- AI Mobiele telefoon en pc -uitbreiding Vraag, Global Semiconductor Manufacturing Industry Improvement
- Begrijp de behoeften van ADA's en cabinebewakingssystemen voor sensoren voor netwerkbeveiliging.
- Het gerucht gaat dat Samsung en SK Hynix DDR3 hebben gestopt, en de promotie -citaat steeg met 20 %
- Melexis uitgebracht MLX90427: Line Control to New Choice, veilig, efficiënt en economisch