SI7461DP-T1-GE3
SI7461DP-T1-GE3
제품 모델:
SI7461DP-T1-GE3
제조사:
Electro-Films (EFI) / Vishay
기술:
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
무연 상태:
무연 / RoHS 준수
재고 수량:
31722 Pieces
배달 시간:
1-2 days
리드 타임:
4-8 weeks
데이터 시트:
SI7461DP-T1-GE3.pdf

소개

SI7461DP-T1-GE3은 지금 이용 가능합니다!LYNTEAM 기술은 SI7461DP-T1-GE3의 스타킹 배포자이며, 즉시 배송을위한 주식이 있으며 장시간 공급 가능합니다.이메일로 SI7461DP-T1-GE3에 대한 구매 계획을 보내 주시면 계획에 따라 최상의 가격을 제공 할 것입니다.
LYNTEAM로 SI7461DP-T1-GE3을 구입하고, 돈과 시간을 절약하십시오.
우리의 이메일 : [email protected].

규격

조건 New & Original, tested
원산지 Contact us
마킹 코드 Send by email
아이디 @ VGS (일) (최대):3V @ 250µA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:PowerPAK® SO-8
연속:TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):14.5 mOhm @ 14.4A, 10V
전력 소비 (최대):1.9W (Ta)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:PowerPAK® SO-8
다른 이름들:SI7461DP-T1-GE3TR
SI7461DPT1GE3
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:33 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:190nC @ 10V
FET 유형:P-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):60V
상세 설명:P-Channel 60V 8.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):8.6A (Ta)
Email:[email protected]

빠른 견적 요청

제품 모델
수량
회사
이메일
전화
메모/주석