SI7461DP-T1-GE3 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para SI7461DP-T1-GE3, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para SI7461DP-T1-GE3 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre SI7461DP-T1-GE3 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
SI7461DP-T1-GE3
- Número de pieza:
- SI7461DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 31722 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SI7461DP-T1-GE3.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PowerPAK® SO-8 |
| Serie: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 14.5 mOhm @ 14.4A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.9W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | PowerPAK® SO-8 |
| Otros nombres: | SI7461DP-T1-GE3TR SI7461DPT1GE3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 33 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 190nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción detallada: | P-Channel 60V 8.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 8.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SI7461DP-T1-GE3
Latest Noticias
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lanza un chip de interruptor inductor integrado completo
- X-FAB presenta la tecnología de iluminación del sensor de imágenes para mejorar el rendimiento del sensor CMOS