NSB1706DMW5T1G
NSB1706DMW5T1G
제품 모델:
NSB1706DMW5T1G
제조사:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70
무연 상태:
무연 / RoHS 준수
재고 수량:
31356 Pieces
배달 시간:
1-2 days
리드 타임:
4-8 weeks
데이터 시트:
NSB1706DMW5T1G.pdf

소개

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규격

조건 New & Original, tested
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마킹 코드 Send by email
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):250mV @ 1mA, 10mA
트랜지스터 유형:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지:SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
연속:-
저항기 - 이미 터베이스 (R2):47 kOhms
저항기 -베이스 (R1):4.7 kOhms
전력 - 최대:250mW
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
다른 이름들:NSB1706DMW5T1GOS
NSB1706DMW5T1GOS-ND
NSB1706DMW5T1GOSTR
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:36 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환:-
상세 설명:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:80 @ 5mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):100mA
기본 부품 번호:NSB1706
Email:[email protected]

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