NSB1706DMW5T1G
NSB1706DMW5T1G
Modèle de produit:
NSB1706DMW5T1G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
31356 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
NSB1706DMW5T1G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):47 kOhms
Résistance - Base (R1):4.7 kOhms
Puissance - Max:250mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Autres noms:NSB1706DMW5T1GOS
NSB1706DMW5T1GOS-ND
NSB1706DMW5T1GOSTR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:36 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Numéro de pièce de base:NSB1706
Email:[email protected]

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