FDD2512
제품 모델:
FDD2512
제조사:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술:
MOSFET N-CH 150V 6.7A D-PAK
무연 상태:
무연 / RoHS 준수
재고 수량:
49442 Pieces
배달 시간:
1-2 days
리드 타임:
4-8 weeks
데이터 시트:
FDD2512.pdf

소개

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규격

조건 New & Original, tested
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마킹 코드 Send by email
아이디 @ VGS (일) (최대):4V @ 250µA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:TO-252
연속:PowerTrench®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):420 mOhm @ 2.2A, 10V
전력 소비 (최대):42W (Ta)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:344pF @ 75V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:11nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):6V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):150V
상세 설명:N-Channel 150V 6.7A (Ta) 42W (Ta) Surface Mount TO-252
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):6.7A (Ta)
Email:[email protected]

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