FDD2512
Modello di prodotti:
FDD2512
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 6.7A D-PAK
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
49442 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
FDD2512.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:420 mOhm @ 2.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):42W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:344pF @ 75V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):150V
Descrizione dettagliata:N-Channel 150V 6.7A (Ta) 42W (Ta) Surface Mount TO-252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.7A (Ta)
Email:[email protected]

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