TSM60NB190CM2 RNGは今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはTSM60NB190CM2 RNGのストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
TSM60NB190CM2 RNGをLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
TSM60NB190CM2 RNG
- 部品型番:
- TSM60NB190CM2 RNG
- 説明:
- MOSFET N-CH 600V 18A TO263
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 39874 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- TSM60NB190CM2 RNG.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大）: | ±30V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-263 (D²Pak) |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 190 mOhm @ 6A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 150.6W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 他の名前: | TSM60NB190CM2 RNGTR TSM60NB190CM2 RNGTR-ND TSM60NB190CM2RNGTR |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 14 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 1273pF @ 100V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 31nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 600V |
| 詳細な説明: | N-Channel 600V 18A (Tc) 150.6W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのTSM60NB190CM2 RNG
最新ニュース
- HBMの生産能力は除外され、DRAMメモリは今年の後半に不足している可能性があります
- 壁の創設者は終了し、HBMを終了し、ドラムを再び上昇させます
- AI携帯電話とPCの拡張需要、グローバル半導体製造業界の改善
- ネットワークセキュリティイメージセンサーのためのADAおよびキャビン監視システムのニーズを理解する
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量