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TSM60NB190CM2 RNG
- Modello di prodotti:
- TSM60NB190CM2 RNG
- fabbricante:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 18A TO263
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 39874 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- TSM60NB190CM2 RNG.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-263 (D²Pak) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 190 mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 150.6W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | TSM60NB190CM2 RNGTR TSM60NB190CM2 RNGTR-ND TSM60NB190CM2RNGTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1273pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 31nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 600V 18A (Tc) 150.6W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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