MJD31C1G
MJD31C1G
部品型番:
MJD31C1G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS NPN 100V 3A IPAK
鉛フリー:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
46237 Pieces
配達時間:
1-2 days
配達時間:
4-8 weeks
データシート:
MJD31C1G.pdf

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規格

状況 New & Original, tested
原産国 Contact us
タグコード Send by email
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100V
IB、IC @ Vce飽和(最大):1.2V @ 375mA, 3A
トランジスタ型式:NPN
サプライヤデバイスパッケージ:I-PAK
シリーズ:-
電力 - 最大:1.56W
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
他の名前:MJD31C1G-ND
MJD31C1GOS
運転温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:2 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション:3MHz
詳細な説明:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Through Hole I-PAK
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):10 @ 3A, 4V
電流 - コレクタ遮断(最大):50µA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):3A
ベース部品番号:MJD31
Email:[email protected]

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