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MJD31C1G
- Artikelnummer:
- MJD31C1G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN 100V 3A IPAK
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 46237 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- MJD31C1G.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 100V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | I-PAK |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 1.56W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Andere Namen: | MJD31C1G-ND MJD31C1GOS |
| Betriebstemperatur: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 2 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 3MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Through Hole I-PAK |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 10 @ 3A, 4V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 50µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 3A |
| Basisteilenummer: | MJD31 |
| Email: | [email protected] |
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