IRFHM8363TRPBF
部品型番:
IRFHM8363TRPBF
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
鉛フリー:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
38844 Pieces
配達時間:
1-2 days
配達時間:
4-8 weeks
データシート:
IRFHM8363TRPBF.pdf

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規格

状況 New & Original, tested
原産国 Contact us
タグコード Send by email
同上@ VGS(TH)(最大):2.35V @ 25µA
サプライヤデバイスパッケージ:8-PQFN (3.3x3.3), Power33
シリーズ:HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):14.9 mOhm @ 10A, 10V
電力 - 最大:2.7W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
他の名前:SP001565948
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1165pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:15nC @ 10V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual)
FET特長:Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
詳細な説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 2.7W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):11A
ベース部品番号:IRFHM8363PBF
Email:[email protected]

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