IRFHM8363TRPBF
Modello di prodotti:
IRFHM8363TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
38844 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IRFHM8363TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.35V @ 25µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:14.9 mOhm @ 10A, 10V
Potenza - Max:2.7W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:SP001565948
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1165pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 2.7W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A
Numero di parte base:IRFHM8363PBF
Email:[email protected]

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