HN3C10FUTE85LF
HN3C10FUTE85LF
部品型番:
HN3C10FUTE85LF
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
TRANSISTOR NPN US6
鉛フリー:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
28574 Pieces
配達時間:
1-2 days
配達時間:
4-8 weeks
データシート:
HN3C10FUTE85LF.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Original, tested
原産国 Contact us
タグコード Send by email
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):12V
トランジスタ型式:2 NPN (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:US6
シリーズ:-
電力 - 最大:200mW
パッケージング:Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
他の名前:HN3C10FUTE85LFCT
運転温度:-
ノイズ指数(F @デシベル標準):1.1dB @ 1GHz
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
利得:11.5dB
周波数 - トランジション:7GHz
詳細な説明:RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):80 @ 20mA, 10V
電流 - コレクタ(Ic)(Max):80mA
Email:[email protected]

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