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状況 | New & Original, tested |
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原産国 | Contact us |
タグコード | Send by email |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 300mV @ 500µA, 10mA |
トランジスタ型式: | PNP - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-92-3 |
シリーズ: | - |
抵抗器ベース(R2): | 4.7 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1): | 4.7 kOhms |
電力 - 最大: | 300mW |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
他の名前: | FJN4301RTACT |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 2 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | 200MHz |
詳細な説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92-3 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 20 @ 10mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 100mA |
ベース部品番号: | FJN4301 |
Email: | [email protected] |